c.投影式曝光（Projection Printing）:在掩膜板與光刻膠之間使用光學(xué)系統(tǒng)聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會(huì)以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點(diǎn)：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。 投影式曝光分類： 掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸； 步進(jìn)重復(fù)投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區(qū)域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區(qū)域）。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。

掃描步進(jìn)投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區(qū)域（Exposure Field）26×33mm。優(yōu)點(diǎn)：增大了每次曝光的視場(chǎng)；提供硅片表面不平整的補(bǔ)償；提高整個(gè)硅片的尺寸均勻性。但是，同時(shí)因?yàn)樾枰聪蜻\(yùn)動(dòng)，增加了機(jī)械系統(tǒng)的精度要求。 d. 高精度雙面：主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。 高精度特制的翻版機(jī)構(gòu)、雙視場(chǎng)CCD顯微顯示系統(tǒng)、多點(diǎn)光源曝光頭、真空管路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、直聯(lián)式無(wú)油真空泵、防震工作臺(tái)等組成。 適用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片的對(duì)準(zhǔn)曝光。 e.高精度單面：針對(duì)各大專院校、企業(yè)及科研單位，對(duì)光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機(jī),中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。 高精度對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)、雙目分離視場(chǎng)CCD顯微顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動(dòng)系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無(wú)油真空泵、防震工作臺(tái)和附件箱等組成。 解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開(kāi)所引起的版片無(wú)法對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題。
超分辨光刻機(jī)