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      勻膠顯影蝕刻專用設(shè)備生產(chǎn)商



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      光刻機(jī) -勻膠顯影工藝前后的主要設(shè)備
      光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻,所以叫 Mask Alignment System. 一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、勻膠(旋涂光刻膠)、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。 Photolithography(光刻) 意思是用光來制作一個(gè)圖形(工藝); 在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上的過程。
      來源: | 作者:pmoe2a7d5 | 發(fā)布時(shí)間: 2020-03-27 | 9615 次瀏覽 | 分享到:


      b.有足夠的能量。能量越大,曝光時(shí)間就越短; c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布] 常用的紫外光光源是高壓弧光燈(高壓汞燈),高壓汞燈有許多尖銳的光譜線,經(jīng)過濾光后使用其中的g 線(436 nm)或i 線(365 nm)。 對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光光源,可以使用準(zhǔn)分子激光。例如KrF 準(zhǔn)分子激光(248 nm)、ArF 準(zhǔn)分子激光(193 nm)和F2準(zhǔn)分子激光(157 nm)等。 曝光系統(tǒng)的功能主要有:平滑衍射效應(yīng)、實(shí)現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實(shí)現(xiàn)強(qiáng)光照明和光強(qiáng)調(diào)節(jié)等。 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)編輯 制造高精度的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)需要具有近乎完美的精密機(jī)械工藝,這也是國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)望塵莫及的技術(shù)難點(diǎn)之一,許多美國(guó)德國(guó)品牌光刻機(jī)具有特殊專利的機(jī)械工藝設(shè)計(jì)。例如Mycro N&Q光刻機(jī)采用的全氣動(dòng)軸承設(shè)計(jì)專利技術(shù),有效避免軸承機(jī)械摩擦所帶來的工藝誤差。 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)另外一個(gè)技術(shù)難題就是對(duì)準(zhǔn)顯微鏡。為了增強(qiáng)顯微鏡的視場(chǎng),許多高端的光刻機(jī),采用了LED照明。 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)共有兩套,具備調(diào)焦功能。主要就是由雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡主體、目鏡和物鏡各1對(duì)(光刻機(jī)通常會(huì)提供不同放大倍率的目鏡和物鏡供用戶組合使用)。 CCD對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)作用是將掩模和樣片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記放大并成像于監(jiān)視器上。 工件臺(tái)顧名思義就是放工件的平臺(tái),光刻工藝最主要的工件就是掩模和基片。 工件臺(tái)為光刻機(jī)的一個(gè)關(guān)鍵,由掩模樣片整體運(yùn)動(dòng)臺(tái)(XY)、掩模樣片相對(duì)運(yùn)動(dòng)臺(tái)(XY)、轉(zhuǎn)動(dòng)臺(tái)、樣片調(diào)平機(jī)構(gòu)、樣片調(diào)焦機(jī)構(gòu)、承片臺(tái)、掩模夾、抽拉掩模臺(tái)組成。 其中,樣片調(diào)平機(jī)構(gòu)包括球座和半球。調(diào)平過程中首先對(duì)球座和半球通上壓力空氣,再通過調(diào)焦手輪,使球座、半球、樣片向上運(yùn)動(dòng),使樣片與掩模相靠而找平樣片,然后對(duì)二位三通電磁閥將球座和半球切換為真空進(jìn)行鎖緊而保持調(diào)平狀態(tài)。 樣片調(diào)焦機(jī)構(gòu)由調(diào)焦手輪、杠桿機(jī)構(gòu)和上升直線導(dǎo)軌等組成,調(diào)平上升過程初步調(diào)焦,調(diào)平完成鎖緊球氣浮后,樣片和掩模之間會(huì)產(chǎn)生一定的間隙,因此必須進(jìn)行微調(diào)焦。另一方面,調(diào)平完成進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),必須分離一定的對(duì)準(zhǔn)間隙,也需要進(jìn)行微調(diào)焦。 抽拉掩模臺(tái)主要用于快速上下片,由燕尾導(dǎo)軌、定位擋塊和鎖緊手輪組成。 承片臺(tái)和掩模夾是根據(jù)不同的樣片和掩模尺寸而進(jìn)行設(shè)計(jì)的。 性能指標(biāo)編輯 光刻機(jī)的主要性能指標(biāo)有:支持基片的尺寸范圍,分辨率、對(duì)準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長(zhǎng)、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等。 分辨率是對(duì)光刻工藝加工可以達(dá)到的最細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對(duì)準(zhǔn)精度是在多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度。 曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。 曝光光源波長(zhǎng)分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域,光源有汞燈,準(zhǔn)分子激光器等。 光刻機(jī)種類編輯 a.接觸式曝光(Contact Printing):掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng),設(shè)備簡(jiǎn)單。接觸式,根據(jù)施加力量的方式不同又分為:軟接觸,硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住(類似于勻膠機(jī)的基片放置方式),掩膜蓋在基片上面; 2.硬接觸 是將基片通過一個(gè)氣壓(氮?dú)猓?,往上頂,使之與掩膜接觸; 3.真空接觸 是在掩膜和基片中間抽氣,使之更加好的貼合(想一想把被子抽真空放置的方式) 軟<硬<真空 接觸的越緊密,分辨率越高,當(dāng)然接觸的越緊密,掩膜和材料的損傷就越大。 缺點(diǎn):光刻膠污染掩膜板;掩膜板的磨損,容易損壞,壽命很低(只能使用5~25次);容易累積缺陷;上個(gè)世紀(jì)七十年代的工業(yè)水準(zhǔn),已經(jīng)逐漸被接近式曝光方式所淘汰了,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)均為接觸式曝光,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的開發(fā)機(jī)構(gòu)無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產(chǎn)品化。 b.接近式曝光(Proximity Printing):掩膜板與光刻膠基底層保留一個(gè)微小的縫隙(Gap),Gap大約為0~200μm??梢杂行П苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷,使掩膜和光刻膠基底能耐久使用;掩模壽命長(zhǎng)(可提高10 倍以上),圖形缺陷少。接近式在現(xiàn)代光刻工藝中應(yīng)用最為廣泛。

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