前工序是芯片制造的初級(jí)階段 ，包括晶圓加工、光刻、沉積、刻蝕等步驟。形成了晶圓中電路層、絕緣層等各種層。后工序是芯片制造的后期階段，有清洗、電鍍、切割、封裝、測試等步驟。IC設(shè)計(jì)是芯片設(shè)計(jì)的核心，芯片制造包括晶圓制造和 晶圓加工。晶圓制造是用二氧化硅制作單晶硅的過程，包括：拉晶-滾磨-線切割-研磨-腐蝕-熱處理-邊緣拋光-正面拋光-清洗-檢測-外延。晶圓加工是晶圓進(jìn)行邏輯電路制作的一步，包括：擴(kuò)散-沉積-光刻-刻蝕-離子注入-拋光-金屬化等。

  硅棒生成:硅介于絕緣體和導(dǎo)體間，是半導(dǎo)體的代表。通過摻雜可改變硅的導(dǎo)電性。沙子和碳冶煉形成純度99%的硅，把純硅繼續(xù)加熱成液態(tài)硅，并用細(xì)長的單晶硅放入液態(tài)硅中引導(dǎo)提拉，沉積提拉完成后是純度為99.9999%的兩頭呈錐形的晶錠。

  晶圓切割：硅棒切割后形成的薄片就是晶圓。晶圓像一個(gè)“畫布”有不同的尺寸：75mm(3寸)、100mm（4寸）、125mm（5寸）、150mm（6寸）、200mm（8寸）、300mm（12寸）。

  晶圓研磨：晶圓使用前進(jìn)行打磨后形成一層氧化膜的過程稱晶圓研磨。

  光刻工藝：光刻類似于在“畫布”上畫畫，是芯片制造過程中精密步驟之一，是根據(jù)芯片設(shè)計(jì)圖在晶圓表面畫出實(shí)際電路圖的過程。光刻工藝被用來制作光刻膠線條。首先，化學(xué)或機(jī)械方法去除硅片表面污染物。清洗和表面預(yù)處理后利用增粘劑（HMDS）進(jìn)行底膜處理，有利于增強(qiáng)光刻膠的粘附性。之后是晶圓涂膠，是在晶圓表面涂一層光刻膠。旋涂將液相光刻膠旋涂到硅片表面。通過調(diào)整轉(zhuǎn)速和光刻膠黏度可調(diào)整光刻膠厚度。前烘是烘焙的步驟之一，作用是去除光刻膠中的溶劑，有利于提高硅片和光刻膠間的黏附性。曝光是投影光刻機(jī)產(chǎn)生的像轉(zhuǎn)移到光刻膠內(nèi)的步驟，掩膜版圖的透光區(qū)與光刻膠曝光區(qū)域有關(guān)且曝光區(qū)域的光刻膠性質(zhì)會(huì)發(fā)生改變。曝光后的光刻膠需要再次烘焙，稱曝光后烘（PEB）,PEB具體功能取決于光刻膠類型和其他工藝要求。PEB可觸發(fā)某些化學(xué)反應(yīng)，也可去除溶劑，并加速光刻膠內(nèi)物質(zhì)擴(kuò)散，平滑光刻膠輪廓。顯影是將曝光的和化學(xué)改性后的光刻膠浸入顯影液中進(jìn)行顯影。顯影結(jié)果與光刻膠極性有關(guān)，正性被曝光和化學(xué)改性的部分在顯影過程中移除，負(fù)膠相反，未被曝光的被顯影液移除。

  蝕刻：離子束對(duì)晶圓轟擊，芯片設(shè)計(jì)圖可復(fù)制在晶圓表面。

  離子注入：離子注入可改變硅導(dǎo)電性，晶圓上形成二極管、三極管、電阻等。