晶圓清洗及干燥工藝

在前道工序中，晶圓在半導(dǎo)體工藝各種設(shè)備傳送期間，必須進行清洗。

晶圓在每次的工藝處理過程中都會受到污染，例如空氣和部分材質(zhì)的微細顆粒和雜質(zhì)、設(shè)施、設(shè)備和電源線的電磁輻射、晶圓加工測量時光束造成的破壞、工藝和晶圓傳送時的靜電等。從清洗設(shè)備出來后，必須保持干燥狀態(tài)，稱為“干進干出”（Dry-In-Dry-Out）,因為晶圓如果處于含水狀態(tài)，晶圓表面會迅速氧化，肉眼看不見的水滴會形成水漬影響后續(xù)工藝。

晶圓上的顆粒和污染可以通過化學或物理兩種方法去除。物理方法包括用刷子機械去除污染或用超聲波震動去除污染；化學方法通過化學反應(yīng)直接溶解污染和顆粒，或者把附著了顆?；蛭廴镜木A表面溶解一層薄層。

干燥方面，傳統(tǒng)上使用的方法是旋轉(zhuǎn)干燥（Spin Dry）和IPA（異丙醇）干燥。前者是將晶圓放入一個特殊的盒子中，并高速旋轉(zhuǎn)以甩掉水分，該方法設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，價格低，吞吐量高，但需要靈活性高、能產(chǎn)生靜電的零部件。后者是用揮發(fā)性IPA蒸汽替換晶圓表面的水分，使之干燥，好處是有利于圖形干燥，但需要使用易燃化學品，且容易留下有機物、殘留物。除此之外，還有一種干燥方法叫“馬蘭戈尼干燥”，即將晶圓從順水中立即送入IPA蒸汽替換晶圓表面的水分使之干燥，如此可以減少IPA的用量，但吞吐量較少，有機物有殘留。

晶圓清洗機

·         APM1#液去表面顆粒及金屬雜質(zhì)

·         HPM2#液去金屬粒子

·         SPM3#液,去污及部分金屬

·         DHF去氧化層和金屬粒

·        QDR去離子水沖洗