全自動蝕刻機(jī):
單片晶圓蝕刻設(shè)備不僅能夠甚至在產(chǎn)生氣體(蝕刻反應(yīng)的副產(chǎn)品)的情
況下通過振動所述晶圓來排放氣體,并且還可防止所述氣體吸附在所
述晶圓的表面上。
全自動蝕刻機(jī):
單片晶圓蝕刻設(shè)備不僅能夠甚至在產(chǎn)生氣體(蝕刻反應(yīng)的副產(chǎn)品)的情況下通過振動所述晶圓來排放氣體,并且還可防止所述氣體吸附在所述晶圓的表面上。此外,由于所述單片晶圓蝕刻設(shè)備可對所述晶圓的各個區(qū)域進(jìn)行直接加熱,所以甚至在由于蝕刻進(jìn)行的同時蝕刻溶劑從所述晶圓的中心朝向圓周方向移動而導(dǎo)致蝕刻溫度從所述晶圓的中心朝向圓周方向逐漸增加的情況下,單片晶圓蝕刻設(shè)備可通過從圓周方向朝向所述晶圓的中心以溫度增加的方式進(jìn)行加熱來均衡地維持反應(yīng)溫度。因此所述單片晶圓蝕刻設(shè)備不僅能夠在所述晶圓的任何位置處維持均衡的蝕刻程度,并且還能夠提高平整度。主要是蝕刻金屬膜等工藝:
晶圓尺寸(wafer size ): 12inch
蝕刻腔體(Chamber): 2套
化學(xué)液體: H2SO4、HF、DMSO、NMP
單片晶圓蝕刻設(shè)備:
轉(zhuǎn)盤:所述轉(zhuǎn)盤具有穩(wěn)固地布置在其上的晶圓,并且所述轉(zhuǎn)盤的直徑小于所述晶圓的直徑;
噴嘴:噴嘴將蝕刻溶劑噴射到所述穩(wěn)固地布置在轉(zhuǎn)盤上的晶圓上;使所述轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動裝置;
振動裝置,所述振動裝置在蝕刻溶劑從所述噴嘴噴射期間振動所述轉(zhuǎn)盤。